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SPD50P03LGXT

Name: Infineon SPD50P03LGXT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SPD50P03LGXT
Price: 0.94 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-SPD50P03LGXT

Fabr. N.º:

SPD50P03LGXT

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

Hoja de datos:

SPD50P03LGXT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

SPD50P03L G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,73 €

Min:

Fabr. N.º Ref.:

SPD50P03LGBTMA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,84 €

Min:

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SPD50P03LGBTMA1

Descripción:

MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	126 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	104 ns
Transconductancia delantera: mín.:	47 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	21.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	139 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14.8 ns
Alias de parte #:	SP000371908 SPD50P03L G SPD50P03LGBTMA1
Peso unitario:	330 mg