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ISP26DP06NMSATMA1

Name: Infineon ISP26DP06NMSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISP26DP06NMSATMA
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISP26DP06NMSATMA

Fabr. N.º:

ISP26DP06NMSATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Descatalogado:

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	0,654 €	0,65 €
	0,403 €	4,03 €
	0,26 €	26,00 €
	0,224 €	224,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,218 €	654,00 €
	0,197 €	1.182,00 €
	0,172 €	1.548,00 €
	0,137 €	3.288,00 €

Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

BSP170IATMA1

Descripción:

MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto: Novedad de este fabricante.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-223-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	260 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	10.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Alias de parte #:	ISP26DP06NMS SP004987242
Peso unitario:	116,010 mg