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ISC025N08NM6SCATMA1

Name: Infineon ISC025N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC025N08NM6SCAT
Price: 4.64 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-ISC025N08NM6SCAT

Fabr. N.º:

ISC025N08NM6SCATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

ISC025N08NM6SCATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	46 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	167 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	40 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.6 ns
Serie:	OptiMOS 6
Cantidad del paquete de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	ISC025N08NM6SC SP006197456

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Hoja de datos

ISC025N08NM6SCATMA1 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

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