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IRFP4229PBFXKMA1

Name: Infineon IRFP4229PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFP4229PBFXKMA1
Price: 4 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

726-IRFP4229PBFXKMA1

Fabr. N.º:

IRFP4229PBFXKMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IR FET >60-400V

Hoja de datos:

IRFP4229PBFXKMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 400

Fecha prevista: 17/12/2026
Plazo de producción de fábrica:: 39

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,00 €	4,00 €
	2,28 €	22,80 €
	1,87 €	187,00 €
	1,52 €	608,00 €
	1,50 €	1.800,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AC-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	44 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	46 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	72 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	310 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	19 ns
Transconductancia delantera: mín.:	83 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	27 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	400
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	44 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Alias de parte #:	IRFP4229PBFXKMA1 SP005732690

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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.