IRF1010EPBF

Infineon Technologies
942-IRF1010EPBF
IRF1010EPBF

Fabr.:

Descripción:
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 2.811

Existencias:
2.811 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,77 € 1,77 €
0,98 € 9,80 €
0,791 € 79,10 €
0,636 € 318,00 €
0,629 € 629,00 €
0,587 € 1.174,00 €
0,558 € 2.790,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
China
El país puede cambiar en el momento del envío.