IR2233SPbF

Infineon Technologies
942-IR2233SPBF
IR2233SPbF

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Modelo ECAD:
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En existencias: 2.688

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,67 € 6,67 €
5,16 € 51,60 €
4,78 € 119,50 €
4,37 € 437,00 €
4,06 € 1.015,00 €
4,05 € 2.025,00 €
3,93 € 3.930,00 €
3,71 € 7.420,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-28
6 Driver
6 Output
500 mA
10 V
20 V
90 ns
40 ns
- 40 C
+ 125 C
IR223X
Tube
Marca: Infineon Technologies
Características: Independent
Tipo lógico: CMOS, LSTTL
Tiempo de retraso de apagado máximo: 700 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 750 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 4 mA
Pd (disipación de potencia): 1.6 W
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 1 us
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Nombre comercial: EiceDRIVER
Peso unitario: 2,215 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8542319000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Taiwán
El país puede cambiar en el momento del envío.

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.