IR21834STRPBF
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Fabr.:
Descripción:
Controlador de puerta Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
En existencias: 5.195
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Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
-
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| Cinta / MouseReel™ | ||
| 2,18 € | 2,18 € | |
| 1,63 € | 16,30 € | |
| 1,49 € | 37,25 € | |
| 1,33 € | 133,00 € | |
| 1,26 € | 315,00 € | |
| 1,21 € | 605,00 € | |
| 1,17 € | 1.170,00 € | |
| Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500) | ||
| 1,13 € | 2.825,00 € | |
| 1,11 € | 5.550,00 € | |
Empaquetado alternativo
Hoja de datos
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Estados Unidos
- País de origen del ensamblaje:
- Tailandia
- País de difusión:
- Taiwán
España
