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IPZA65R035CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPZA65R035CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPZA65R035CFD7AX
Price: 11.5 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IPZA65R035CFD7AX

Fabr. N.º:

IPZA65R035CFD7AXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IPZA65R035CFD7AXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	145 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	305 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.7 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	131 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Alias de parte #:	IPZA65R035CFD7A -

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.