IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-ZA65R018CFD7XKSA
IPZA65R018CFD7XKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 140

Existencias:
140 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
16,54 € 16,54 €
10,29 € 102,90 €
9,74 € 974,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
106 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
234 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: IPZA65R018CFD7 SP005413354
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Alemania
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Alemania
El país puede cambiar en el momento del envío.

650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.