IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPZ60R099C7XKSA1
IPZ60R099C7XKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 25

Existencias:
25 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,11 € 6,11 €
3,50 € 35,00 €
2,92 € 292,00 €
2,63 € 1.262,40 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
99 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: DE
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: CoolMOS C7
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: IPZ60R099C7 SP001298006
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99