IPW60R190P6

Infineon Technologies
726-IPW60R190P6
IPW60R190P6

Fabr.:

Descripción:
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

Modelo ECAD:
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En existencias: 585

Existencias:
585 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,62 € 3,62 €
2,37 € 23,70 €
1,77 € 177,00 €
1,48 € 710,40 €
1,37 € 1.644,00 €
1,29 € 3.405,60 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
171 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 8 ns
Serie: CoolMOS P6
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 15 ns
Alias de parte #: SP001017090 IPW60R190P6FKSA1
Peso unitario: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Alemania
El país puede cambiar en el momento del envío.