IPTG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies
726-TG039N15NM5ATMA1
IPTG039N15NM5ATMA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET IFX FET >100-150V

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1800   Múltiples: 1800
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
2,64 € 4.752,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOG-8
N-Channel
1 Channel
150 V
190 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia delantera: mín.: 110 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 4.5 ns
Serie: OptiMOS 5
Cantidad del paquete de fábrica: 1800
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 23.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 19 ns
Alias de parte #: IPTG039N15NM5 SP005676943
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99