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IPD60R650CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R650CEAUMA1
Price: 1.13 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPD60R650CEAUMA1

Fabr. N.º:

IPD60R650CEAUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET CONSUMER

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPD60R650CEAUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 06/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 8

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,13 €	1,13 €
	0,706 €	7,06 €
	0,465 €	46,50 €
	0,362 €	181,00 €
	0,329 €	329,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,292 €	730,00 €
	0,261 €	1.305,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9.9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	540 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	20.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	82 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	CoolMOS CE
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	58 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Alias de parte #:	IPD60R650CE SP001396884
Peso unitario:	330 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de potencia CE CoolMOS™

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma de tecnología MOFSET de potencia de alta tensión que están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos para cubrir las necesidades de los consumidores. La cartera de productos CE CoolMOS™ ofrece dispositivos de 500 V, 600 V y 650 V destinados a cargadores de baja potencia para dispositivos móviles y herramientas eléctricas, adaptadores para notebooks y ordenadores portátiles, e iluminación LCD, LED TV y LED. Esta nueva serie de CoolMOS™ ha optimizado los costes para satisfacer los requisitos habituales del consumidor sin comprometer la calidad y fiabilidad probadas de CoolMOS™ a la vez que resulta atractiva de precio.
Más información

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.