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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPD60R180CM8XTMA

Fabr. N.º:

IPD60R180CM8XTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IPD60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

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	1,75 €	1,75 €
	1,18 €	11,80 €
	0,845 €	84,50 €
	0,727 €	363,50 €
	0,687 €	687,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,584 €	1.460,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.7 V
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	127 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	88.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17.2 ns
Alias de parte #:	IPD60R180CM8 SP005578057

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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