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IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R190CFD7A1
Price: 3.99 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPBE65R190CFD7A1

Fabr. N.º:

IPBE65R190CFD7AATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos:

IPBE65R190CFD7AATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,99 €	3,99 €
	2,51 €	25,10 €
	1,88 €	188,00 €
	1,60 €	800,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,46 €	1.460,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	14 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	190 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	77 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS CFD7A
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	IPBE65R190CFD7A SP005398486

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.