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IPB60R099CP

Name: Infineon IPB60R099CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R099CP
Price: 7.13 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IPB60R099CP

Fabr. N.º:

IPB60R099CP

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPB60R099CP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	7,13 €	7,13 €
	4,75 €	47,50 €
	3,84 €	384,00 €
	3,55 €	1.775,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	3,02 €	3.020,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IPB60R099CPATMA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

6,56 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	90 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	80 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	255 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CoolMOS CE
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Alias de parte #:	SP000088490 IPB6R99CPXT IPB60R099CPATMA1
Peso unitario:	4 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de potencia CE CoolMOS™

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma de tecnología MOFSET de potencia de alta tensión que están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos para cubrir las necesidades de los consumidores. La cartera de productos CE CoolMOS™ ofrece dispositivos de 500 V, 600 V y 650 V destinados a cargadores de baja potencia para dispositivos móviles y herramientas eléctricas, adaptadores para notebooks y ordenadores portátiles, e iluminación LCD, LED TV y LED. Esta nueva serie de CoolMOS™ ha optimizado los costes para satisfacer los requisitos habituales del consumidor sin comprometer la calidad y fiabilidad probadas de CoolMOS™ a la vez que resulta atractiva de precio.
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Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.