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IMZA40R045M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA40R045M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA40R045M2HXKS
Price: 6.26 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-IMZA40R045M2HXKS

Fabr. N.º:

IMZA40R045M2HXKSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMZA40R045M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,26 €	6,26 €
	4,63 €	46,30 €
	3,74 €	374,00 €
	3,32 €	1.593,60 €
	2,84 €	3.408,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	400 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	56.2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.4 ns

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Hoja de datos

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.