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IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 8.99 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IMT65R033M2HXUMA

Fabr. N.º:

IMT65R033M2HXUMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IMT65R033M2HXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	8,99 €	8,99 €
	6,17 €	61,70 €
	4,71 €	471,00 €
	4,40 €	4.400,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	4,40 €	8.800,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOF-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	68 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	34 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.8 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	9.1 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.8 ns

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET CoolSiC™ 650V G2

Los MOSFET CoolSiC ™ 650V G2 de Infineon Technologies aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de energía. Los MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon ofrecen ventajas para diversas aplicaciones de semiconductores de potencia, como energía fotovoltaica, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos con CC, accionamientos de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida de CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 permite reducir hasta en un 10 % la pérdida de potencia con respecto a las generaciones anteriores, al tiempo que ofrece una mayor capacidad de carga sin comprometer los factores de forma.