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GS61008P-TR

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Mouser REF:

499-GS61008P-TR

Fabr. N.º:

GS61008P-TR

Fabr.:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Alerta de envío:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

IGC033S101XTMA1

Descripción:

FET de GaN MV GAN DISCRETES

Ciclo de vida:

Nuevo producto: Novedad de este fabricante.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	90 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.3 V
Qg (carga de compuertas):	8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Frecuencia operativa máxima:	10 MHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	GS6100x
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode