FZ2000R33HE4BOSA1

Infineon Technologies
726-FZ2000R33HE4BOSA
FZ2000R33HE4BOSA1

Fabr.:

Descripción:
Módulos IGBT IHV IHM T

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
Single
3.3 kV
2.2 V
2 kA
400 nA
4.2 MW
- 40 C
+ 150 C
Tray
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: IGBT Modules
Serie: Trenchstop IGBT4 - E4
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Si
Nombre comercial: TRENCHSTOP
Alias de parte #: FZ2000R33HE4 SP003062218
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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Alemania
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

FZ2000R33HE4 & FZ1400R33HE4 3300V IGBT Modules

Infineon Technologies FZ2000R33HE4 and FZ1400R33HE4 3300V Single-Switch IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodes. Insulated-gate bipolar transistors are three-terminal power semiconductor devices used as electronic switches to combine high efficiency and fast switching. FZ2000R33HE4 is a 2000A 190mm single-switch module. FZ1400R33HE4 is a 1400A 130mm single-switch module. The devices offer high short-circuit capability and current density with low switching losses. Applications include high-power converters, medium-voltage converters, and motor and traction drives.