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FS150R12N2T7B15BPSA1

Name: Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS150R12N2T7B15B
Price: 65.49 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-FS150R12N2T7B15B

Fabr. N.º:

FS150R12N2T7B15BPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT LOW POWER ECONO

Hoja de datos:

FS150R12N2T7B15BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	6-Pack
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Corriente continua del colector a 25 C:	150 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Voltaje puerta-emisor máximo:	20 V
Estilo de montaje:	Through Hole
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	15
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de parte #:	FS150R12N2T7_B15 SP005551571

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.