FS01MR08A8MA2CHPSA1

Infineon Technologies
726-FS01MR08A8MA2CHP
FS01MR08A8MA2CHPSA1

Fabr.:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
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En existencias: 5

Existencias:
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39 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
SiC MOSFET Modules
Bridge Power Module
SiC
4.64 V
- 5 V, + 19 V
Press Fit
HybridPACK
Tray
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 53 ns
Id: corriente de drenaje continuo: 620 A
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 1.69 mOhms
Tiempo de establecimiento: 108 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 6
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tiempo típico de retraso de apagado: 318 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 128 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 750 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3.9 V
Alias de parte #: FS01MR08A8MA2C SP006071563
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ECCN:
EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.