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FF55MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF55MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF55MR12W1M1HB11
Price: 32.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-FF55MR12W1M1HB11

Fabr. N.º:

FF55MR12W1M1HB11BPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V

Hoja de datos:

FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	Si
Serie:	M1H
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	24
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	EasyDUAL CoolSiC
Alias de parte #:	FF55MR12W1M1H_B11 SP005634439

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Hoja de datos

FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.