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FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Name: Infineon FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF4MR12W2M1HB70B
Price: 169.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-FF4MR12W2M1HB70B

Fabr. N.º:

FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

Hoja de datos:

FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	169,55 €	169,55 €
	164,72 €	1.647,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	170 A
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.15 V
Serie:	M1H
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EasyDUAL CoolSiC
Tipo:	Half Bridge
Alias de parte #:	FF4MR12W2M1H_B70 SP005749125

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Hoja de datos

FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.