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FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

Name: Infineon FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF17MR12W1M1HPB1
Price: 58.03 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-FF17MR12W1M1HPB1

Fabr. N.º:

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET

Hoja de datos:

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	58,03 €	58,03 €
	50,52 €	505,20 €
	46,02 €	5.522,40 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	Si
Serie:	M1H
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	EasyDUAL CoolSiC
Alias de parte #:	FF17MR12W1M1HP_B11 SP005634518

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Hoja de datos

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.