CY14V101QS-SE108XI

Infineon Technologies
727-CY14V101QSSE108X
CY14V101QS-SE108XI

Fabr.:

Descripción:
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM

Modelo ECAD:
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En existencias: 133

Existencias:
133 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
14,52 € 14,52 €
13,44 € 134,40 €
12,76 € 319,00 €
10,87 € 543,50 €
10,86 € 2.497,80 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
15,08 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: NVRAM
RoHS:  
SOIC-16
SPI
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
3.6 V
2.7 V
33 mA
- 40 C
+ 85 C
CY14V101
Tube
Marca: Infineon Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Pd (disipación de potencia): 1 W
Tipo de producto: NVRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 230
Subcategoría: Memory & Data Storage
Peso unitario: 666 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

nvSRAM SPI cuádruple de 1 MB CY14V101

La nvSRAM SPI cuádruple 1 MB (128 K x 8) CY14V101 de Cypress Semiconductor se adapta a una nvSRAM de 1 MB con una interfaz QPI. La interfaz QPI permite la escritura y lectura de la memoria de forma individual (un canal de E/S para un bit por ciclo de reloj), dual (dos canales de E/S para dos bits por ciclo de reloj), o cuádruple (cuatro canales de E/S para un cuatro bits por ciclo de reloj) mediante el uso de códigos operativos específicos. La memoria se organiza en componentes de 128 Kbytes, y cada uno de ellos consta de SRAM y de celdas de memoria SONOS FLASH Quantum Trap no volátil. La SRAM ofrece ciclos infinitos de lectura y escritura, mientras que las celdas de memoria no volátil proporcionan almacenamiento de datos. Las transferencias de datos de la SRAM a las celdas no volátiles (operación de ALMACENAMIENTO) se producen automáticamente al apagar la unidad. Al encender la unidad, los datos se recuperan en la SRAM desde las celdas de memoria no volátil (operación de RECUPERACIÓN). Los usuarios también pueden iniciar las operaciones de ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN mediante instrucciones SPI.
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