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BSC080N12LSGATMA1

Name: Infineon BSC080N12LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC080N12LSGATMA
Price: 3.18 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSC080N12LSGATMA

Fabr. N.º:

BSC080N12LSGATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Descatalogado:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,18 €	3,18 €
	2,08 €	20,80 €
	1,63 €	163,00 €
	1,37 €	685,00 €
	1,19 €	1.190,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,19 €	5.950,00 €

Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

ISC073N12LM6ATMA1

Descripción:

MOSFET IFX FET >100-150V

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	99 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	79 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	156 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	BSC080N12LS G SP002256844