BFR 740L3RH E6327

Infineon Technologies
726-BFR740L3RHE6327
BFR 740L3RH E6327

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares RF NPN Silicn Germanium RF Transistor

Modelo ECAD:
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En existencias: 14.634

Existencias:
14.634 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
39 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
1,20 € 1,20 €
0,759 € 7,59 €
0,503 € 50,30 €
0,397 € 198,50 €
0,359 € 359,00 €
0,329 € 822,50 €
0,297 € 1.485,00 €
0,294 € 2.940,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)
0,294 € 4.410,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
0,48 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistores bipolares RF
RoHS:  
BFR740L3
Bipolar
SiGe
NPN
- 65 C
+ 150 C
Single
TSLP
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Pd (disipación de potencia): 160 mW
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 15000
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: SP000252393 BFR74L3RHE6327XT BFR740L3RHE6327XTSA1
Peso unitario: 0,500 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.

RF Solutions for IoT applications

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