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BFR 380L3 E6327

Name: Infineon BFR 380L3 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327
Price: 0.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BFR380L3E6327

Fabr. N.º:

BFR 380L3 E6327

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares RF NPN Silicon RF TRANSISTOR

Hoja de datos:

BFR 380L3 E6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,576 €	0,58 €
	0,357 €	3,57 €
	0,241 €	24,10 €
	0,174 €	87,00 €
	0,148 €	148,00 €
	0,133 €	332,50 €
	0,118 €	590,00 €
	0,108 €	1.080,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 15000)
	0,098 €	1.470,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

BFR380L3E6327XTMA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,27 €

Min:

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Fabr.:

Infineon Technologies

Fabr. N.º:

BFR380L3E6327XTMA1

Descripción:

Transistores bipolares RF NPN Silicon RF TRANSISTOR

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares RF
RoHS:
Serie:	BFR380L3
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	Si
Polaridad de transistor:	NPN
Frecuencia de operación:	14 GHz
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	90
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	6 V
Voltaje emisor-base VEBO:	2 V
Corriente continua del colector:	80 mA
Temperatura operativa mínima:	- 65 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSLP
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Corriente del colector DC máxima:	80 mA
Pd (disipación de potencia):	380 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	SP000013562 BFR38L3E6327XT BFR380L3E6327XTMA1
Peso unitario:	0,540 mg

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Hoja de datos

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.