BFP843H6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFP843H6327XTSA1
BFP843H6327XTSA1

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares RF RF BIP TRANSISTORS

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 8.357

Existencias:
8.357 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,834 € 0,83 €
0,524 € 5,24 €
0,341 € 34,10 €
0,263 € 131,50 €
0,237 € 237,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,20 € 600,00 €
0,185 € 1.110,00 €
0,174 € 1.566,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistores bipolares RF
RoHS:  
Si
SOT-343-4
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: BFP 843 H6327 SP001062586
Peso unitario: 7 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.