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AIMDQ75R033M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R033M2HXT
Price: 9.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-AIMDQ75R033M2HXT

Fabr. N.º:

AIMDQ75R033M2HXTMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

AIMDQ75R033M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 750

Fecha prevista: 26/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	9,47 €	9,47 €
	7,40 €	74,00 €
	6,17 €	617,00 €
	5,50 €	2.750,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 750)
	4,68 €	3.510,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HD-SOP-22
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	750 V
Id: corriente de drenaje continuo:	53 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	65.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 7 V, 23 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.6 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	217 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad del paquete de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns
Alias de parte #:	AIMDQ75R033M2H SP006089220

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

AIMDQ75R033M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.