Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

IXTY1R6N50D2

Name: IXYS IXTY1R6N50D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1R6N50D2
Price: 4.93 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

747-IXTY1R6N50D2

Fabr. N.º:

IXTY1R6N50D2

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

Hoja de datos:

IXTY1R6N50D2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre IXYS IXTY1R6N50D2

En existencias: 324

Existencias:: 324 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 32 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,93 €	4,93 €
	2,58 €	25,80 €
	2,12 €	148,40 €
	1,98 €	1.108,80 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

IXTY1R6N50D2-TRL

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

4,93 €

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	1.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	23.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	100 W
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	41 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	70 ns
Serie:	IXTY1R6N50
Cantidad del paquete de fábrica:	70
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Peso unitario:	330 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTY1R6N50D2 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.