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IXTX22N100L

Name: IXYS IXTX22N100L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX22N100L
Price: 49.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTX22N100L

Fabr. N.º:

IXTX22N100L

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A

Hoja de datos:

IXTX22N100L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	49,34 €	49,34 €
	42,08 €	420,80 €
	36,69 €	4.402,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-PLUS-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	22 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	600 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.5 V
Qg (carga de compuertas):	270 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	700 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	50 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Serie:	IXTX22N100
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	80 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	36 ns
Peso unitario:	6 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.