IXTR32P60P

IXYS
747-IXTR32P60P
IXTR32P60P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
46 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 300   Múltiples: 30
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
18,71 € 5.613,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
600 V
18 A
385 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
196 nC
- 55 C
+ 150 C
310 W
Enhancement
PolarP
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 33 ns
Transconductancia delantera: mín.: 21 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 27 ns
Serie: IXTR32P60
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 95 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 37 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.