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IXTQ86N25T

Name: IXYS IXTQ86N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ86N25T
Price: 4.62 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTQ86N25T

Fabr. N.º:

IXTQ86N25T

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET TO3P 250V 86A N-CH TRENCH

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3P-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	86 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	37 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	540 W
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	28 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	55 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	22 ns
Peso unitario:	1,600 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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