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IXTQ52N30P

Name: IXYS IXTQ52N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ52N30P
Price: 8.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTQ52N30P

Fabr. N.º:

IXTQ52N30P

Fabr.:

IXYS

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3P-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	300 V
Id: corriente de drenaje continuo:	52 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	66 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	110 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	400 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Serie:	IXTQ52N30
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	5,500 g