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IXTQ30N60L2

Name: IXYS IXTQ30N60L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ30N60L2
Price: 20.28 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTQ30N60L2

Fabr. N.º:

IXTQ30N60L2

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 30 Amps 600V

Hoja de datos:

IXTQ30N60L2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 305

Fecha prevista: 20/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

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	16,24 €	162,40 €
	12,59 €	1.510,80 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-3P-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	240 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	335 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	540 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Linear L2
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	43 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	65 ns
Serie:	IXTQ30N60
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	123 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	43 ns
Peso unitario:	1,600 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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