IXTP4N80P

IXYS
747-IXTP4N80P
IXTP4N80P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,68 € 3,68 €
2,42 € 24,20 €
1,79 € 179,00 €
1,41 € 705,00 €
1,39 € 1.390,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
3.5 A
3 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 29 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 24 ns
Serie: IXTP4N80
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 22 ns
Peso unitario: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.