IXTP3N120

IXYS
747-IXTP3N120
IXTP3N120

Fabr.:

Descripción:
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200

Modelo ECAD:
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En existencias: 804

Existencias:
804 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
8,82 € 8,82 €
5,56 € 55,60 €
5,04 € 504,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
3 A
4.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Transconductancia delantera: mín.: 1.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Serie: IXTP3N120
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.