IXTP3N110

IXYS
747-IXTP3N110
IXTP3N110

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 50   Múltiples: 50
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,42 € 271,00 €
4,37 € 437,00 €
3,89 € 1.945,00 €
3,44 € 3.440,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.1 kV
3 A
4 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 15 ns
Serie: IXTP3N110
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.