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IXTP20N65XM

Name: IXYS IXTP20N65XM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP20N65XM
Price: 5.4 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTP20N65XM

Fabr. N.º:

IXTP20N65XM

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

Hoja de datos:

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	5,40 €	1.620,00 €
	4,82 €	2.410,00 €
	4,50 €	4.500,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	210 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	35 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns
Peso unitario:	2 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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