IXTP200N085T

747-IXTP200N085T
IXTP200N085T

Fabr.:

Descripción:
MOSFET MOSFET Id200 BVdass85

Ciclo de vida:
Obsoleto
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Posible sustitución

IXYS IXTP180N10T
IXYS
MOSFET MOSFET Id180 BVdass100

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
85 V
200 A
5 mOhms
- 55 C
+ 175 C
480 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 64 ns
Transconductancia delantera: mín.: 125 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 80 ns
Serie: IXTP200N085
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 65 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 32 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.