IXTP1N120P

IXYS
747-IXTP1N120P
IXTP1N120P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 1.111

Existencias:
1.111 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,98 € 5,98 €
4,00 € 40,00 €
3,21 € 321,00 €
2,85 € 1.425,00 €
2,55 € 2.550,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
1 A
20 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17.6 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 27 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 28 ns
Serie: IXTP1N120
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99