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IXTP100N04T2

Name: IXYS IXTP100N04T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP100N04T2
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXTP100N04T2

Fabr. N.º:

IXTP100N04T2

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 100 Amps 40V

Hoja de datos:

IXTP100N04T2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	3,57 €	3,57 €
	2,34 €	23,40 €
	1,74 €	174,00 €
	1,36 €	680,00 €
	1,31 €	1.310,00 €
	1,26 €	3.150,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	25.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.2 ns
Serie:	IXTP100N04
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	15.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	2 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.