IXTH90P10P

IXYS
747-IXTH90P10P
IXTH90P10P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET -90.0 Amps -100V 25 mOhms

Modelo ECAD:
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Pedido:
930
Fecha prevista: 10/04/2026
Plazo de producción de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
11,34 € 11,34 €
6,74 € 67,40 €
6,27 € 752,40 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
100 V
90 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
462 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 32 ns
Transconductancia delantera: mín.: 22 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 77 ns
Serie: IXTH90P10
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99