IXTH6N150

IXYS
747-IXTH6N150
IXTH6N150

Fabr.:

Descripción:
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
14,47 € 14,47 €
8,45 € 84,50 €
8,07 € 968,40 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
6 A
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia delantera: mín.: 6.5 mS
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 20 ns
Serie: IXTH6N150
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 22 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.