IXTH60N10

IXYS
747-IXTH60N10
IXTH60N10

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
Mínimo: 30   Múltiples: 30
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
18,61 € 558,30 €
16,09 € 1.930,80 €
15,23 € 7.767,30 €
1.020 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 20 ns
Serie: IXTH60N10
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 70 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 20 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
No disponible
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.