IXTH52P10P

IXYS
747-IXTH52P10P
IXTH52P10P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 296

Existencias:
296 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
28 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,79 € 9,79 €
6,31 € 63,10 €
5,07 € 608,40 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
100 V
52 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
60 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
PolarP
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 22 ns
Transconductancia delantera: mín.: 12 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 29 ns
Serie: IXTH52P10
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 38 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 22 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.