IXTH26P20P

IXYS
747-IXTH26P20P
IXTH26P20P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Pedido:
210
Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:
28
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,58 € 7,58 €
5,34 € 53,40 €
4,31 € 517,20 €
510 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
200 V
26 A
170 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 21 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 33 ns
Serie: IXTH26P20
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 46 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18 ns
Peso unitario: 6 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.