IXTH12N150

IXYS
747-IXTH12N150
IXTH12N150

Fabr.:

Descripción:
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET

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Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
19,09 € 19,09 €
11,52 € 115,20 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
12 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
890 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia delantera: mín.: 8 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 16 ns
Serie: IXTH12N150
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 53 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 26 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

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